Mo2C膜电阻率的研究

刘俊,马小娟,郑瑞伦

西南师范大学学报(自然科学版)

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Mo2C膜电阻率的研究

刘俊,马小娟,郑瑞伦. Mo2C膜电阻率的研究[J]. 西南师范大学学报(自然科学版), 2002, 27(2).

引用本文:

刘俊,马小娟,郑瑞伦. Mo2C膜电阻率的研究[J]. 西南师范大学学报(自然科学版), 2002, 27(2).

Research on the Mo2c film’s Resistivity[J]. Journal of Southwest China Normal University(Natural Science Edition), 2002, 27(2).

Citation:

Research on the Mo2c film’s Resistivity[J]. Journal of Southwest China Normal University(Natural Science Edition), 2002, 27(2).

Mo2C膜电阻率的研究

刘俊,马小娟,郑瑞伦

西南师范大学物理系,重庆,400715

Research on the Mo2c film’s Resistivity

摘要: 介绍了Mo2C膜的制备过程和对其电阻率的测量结果,探索了其导电机理以及沉积时间、基底温度和生长过程对电阻率的影响.利用Gibbs函数极小的原理探索了膜中Mo原子的含量随温度的变化规律,并对电阻率随温度的变化规律给予了解释.结果表明:它的电阻率取决于生长过程和Mo原子的含量;电阻率随基底温度、沉积时间呈非线性变化.
- 电阻率,四探针法,沉积时间,基底温度

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Mo2C膜电阻率的研究

刘俊,马小娟,郑瑞伦

西南师范大学物理系,重庆,400715

关键词:

电阻率,四探针法,沉积时间,基底温度

摘要: 介绍了Mo2C膜的制备过程和对其电阻率的测量结果,探索了其导电机理以及沉积时间、基底温度和生长过程对电阻率的影响.利用Gibbs函数极小的原理探索了膜中Mo原子的含量随温度的变化规律,并对电阻率随温度的变化规律给予了解释.结果表明:它的电阻率取决于生长过程和Mo原子的含量;电阻率随基底温度、沉积时间呈非线性变化.