V,Cr掺杂CdSe铁磁半导体的电子能态密度和半金属性质研究

周清,张俊峰,陈洪

西南师范大学学报(自然科学版)

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V,Cr掺杂CdSe铁磁半导体的电子能态密度和半金属性质研究

周清,张俊峰,陈洪. V,Cr掺杂CdSe铁磁半导体的电子能态密度和半金属性质研究[J]. 西南师范大学学报(自然科学版), 2006, 31(6).

引用本文:

周清,张俊峰,陈洪. V,Cr掺杂CdSe铁磁半导体的电子能态密度和半金属性质研究[J]. 西南师范大学学报(自然科学版), 2006, 31(6).

Studying on Density of Electronic States and Half-Metallic Property of V-and Cr-Coded CdSe Ferromagnetic Semiconductors[J]. Journal of Southwest China Normal University(Natural Science Edition), 2006, 31(6).

Citation:

Studying on Density of Electronic States and Half-Metallic Property of V-and Cr-Coded CdSe Ferromagnetic Semiconductors[J]. Journal of Southwest China Normal University(Natural Science Edition), 2006, 31(6).

V,Cr掺杂CdSe铁磁半导体的电子能态密度和半金属性质研究

周清,张俊峰,陈洪

重庆文理学院,物理系,重庆,永川,402160,西南大学,物理科学与技术学院,重庆,400715

Studying on Density of Electronic States and Half-Metallic Property of V-and Cr-Coded CdSe Ferromagnetic Semiconductors

摘要: 在共轭梯度近似(GGA)下,采用第一性原理平面波赝势方法,对V和Cr掺杂闪锌矿CdSe半导体的基态电子能态密度和磁性进行了研究. 结果表明,掺入磁性过渡金属V和Cr后的CdSe明显具有铁磁性,每个超晶胞的总磁矩为3.0和4.0μB,而且呈现出显著的半金属特征. 这对在半导体工业中实现自旋载流子注入具有一定的理论价值.
- 第一性原理,稀磁半导体,电子能态密度,半金属相

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V,Cr掺杂CdSe铁磁半导体的电子能态密度和半金属性质研究

周清,张俊峰,陈洪

重庆文理学院,物理系,重庆,永川,402160,西南大学,物理科学与技术学院,重庆,400715

关键词:

第一性原理,稀磁半导体,电子能态密度,半金属相

摘要: 在共轭梯度近似(GGA)下,采用第一性原理平面波赝势方法,对V和Cr掺杂闪锌矿CdSe半导体的基态电子能态密度和磁性进行了研究. 结果表明,掺入磁性过渡金属V和Cr后的CdSe明显具有铁磁性,每个超晶胞的总磁矩为3.0和4.0μB,而且呈现出显著的半金属特征. 这对在半导体工业中实现自旋载流子注入具有一定的理论价值.