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V,Cr掺杂AlP稀磁半导体的电子能态密度和磁性研究

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周清. V,Cr掺杂AlP稀磁半导体的电子能态密度和磁性研究[J]. 西南大学学报(自然科学版), 2009, 31(1).
引用本文: 周清. V,Cr掺杂AlP稀磁半导体的电子能态密度和磁性研究[J]. 西南大学学报(自然科学版), 2009, 31(1).
A Study on Density of States and Magnetism of V- and Cr-Doped AlP Ferromagnetic Semiconductors[J]. Journal of Southwest University Natural Science Edition, 2009, 31(1).
Citation: A Study on Density of States and Magnetism of V- and Cr-Doped AlP Ferromagnetic Semiconductors[J]. Journal of Southwest University Natural Science Edition, 2009, 31(1).

V,Cr掺杂AlP稀磁半导体的电子能态密度和磁性研究

A Study on Density of States and Magnetism of V- and Cr-Doped AlP Ferromagnetic Semiconductors

  • 摘要: 在共轭梯度近似(GGA)下, 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法, 对V,Cr掺杂闪锌矿AlP半导体的基态电子能态密度和磁性进行了研究. 结果表明, 掺入V和Cr后的AlP明显具有铁磁性, 每个超晶胞总磁矩为2.0和3.0 μB, 并具有显著的半金属特征. 这对在半导体工业中实现自旋载流子的注入具有一定的理论价值.
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出版历程

V,Cr掺杂AlP稀磁半导体的电子能态密度和磁性研究

  • 重庆文理学院,物理学与信息工程系,重庆,402160

摘要: 在共轭梯度近似(GGA)下, 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法, 对V,Cr掺杂闪锌矿AlP半导体的基态电子能态密度和磁性进行了研究. 结果表明, 掺入V和Cr后的AlP明显具有铁磁性, 每个超晶胞总磁矩为2.0和3.0 μB, 并具有显著的半金属特征. 这对在半导体工业中实现自旋载流子的注入具有一定的理论价值.

English Abstract

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