C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)的XPS及Raman谱测试分析

邱晓燕,李建

西南师范大学学报(自然科学版)

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C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)的XPS及Raman谱测试分析

邱晓燕,李建. C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)的XPS及Raman谱测试分析[J]. 西南师范大学学报(自然科学版), 2003, 28(2).

引用本文:

邱晓燕,李建. C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)的XPS及Raman谱测试分析[J]. 西南师范大学学报(自然科学版), 2003, 28(2).

The XPS And Raman Analysis of Annealed C (Film)/Si (SiO2)(Nanoparticles)/C (Film)[J]. Journal of Southwest China Normal University(Natural Science Edition), 2003, 28(2).

Citation:

The XPS And Raman Analysis of Annealed C (Film)/Si (SiO2)(Nanoparticles)/C (Film)[J]. Journal of Southwest China Normal University(Natural Science Edition), 2003, 28(2).

C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)的XPS及Raman谱测试分析

邱晓燕,李建

西南师范大学,物理系,重庆,400715

The XPS And Raman Analysis of Annealed C (Film)/Si (SiO2)(Nanoparticles)/C (Film)

摘要: X射线光电子能谱测试(XPS)分析C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)样品发现: 把400 ℃退火后的样品继续加热到650 ℃并退火1 h后, 样品中除原有的Si晶体外, 生成了SiC晶体, 同时还出现了SiO2晶体, 这表明一部分Si与C反应生成SiC的同时, 氧气的氧化作用占主导地位, 把大部分Si氧化成了SiO2. 对比分析在650 ℃和750 ℃退火后样品的Raman谱发现: 随着加热温度的升高, SiC与Si含量增加而SiO2含量减少. 这表明: 在750 ℃时, C原子的还原作用继400 ℃后再次占主导地位, 又把一部分SiO2还原成Si.
- Si(SiO2)纳米微粒,C膜,X射线光电子能谱测试,Raman谱

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C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)的XPS及Raman谱测试分析

邱晓燕,李建

西南师范大学,物理系,重庆,400715

关键词:

Si(SiO2)纳米微粒,C膜,X射线光电子能谱测试,Raman谱

摘要: X射线光电子能谱测试(XPS)分析C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)样品发现: 把400 ℃退火后的样品继续加热到650 ℃并退火1 h后, 样品中除原有的Si晶体外, 生成了SiC晶体, 同时还出现了SiO2晶体, 这表明一部分Si与C反应生成SiC的同时, 氧气的氧化作用占主导地位, 把大部分Si氧化成了SiO2. 对比分析在650 ℃和750 ℃退火后样品的Raman谱发现: 随着加热温度的升高, SiC与Si含量增加而SiO2含量减少. 这表明: 在750 ℃时, C原子的还原作用继400 ℃后再次占主导地位, 又把一部分SiO2还原成Si.