第一性原理计算分析冲击压缩下Mgo电导率突降起因

杨改蓉,房勇,何林,纪红萱,何旭

西南大学学报（自然科学版）

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第一性原理计算分析冲击压缩下Mgo电导率突降起因

杨改蓉,房勇,何林,纪红萱,何旭. 第一性原理计算分析冲击压缩下Mgo电导率突降起因[J]. 西南大学学报（自然科学版）, 2009, 31(9).

引用本文:

杨改蓉,房勇,何林,纪红萱,何旭. 第一性原理计算分析冲击压缩下Mgo电导率突降起因[J]. 西南大学学报（自然科学版）, 2009, 31(9).

Analysis of the Causes for Abrupt Drop of Electronic Conductivity of MgO under High Pressure Using First Principle Calculation[J]. Journal of Southwest University Natural Science Edition, 2009, 31(9).

Citation:

Analysis of the Causes for Abrupt Drop of Electronic Conductivity of MgO under High Pressure Using First Principle Calculation[J]. Journal of Southwest University Natural Science Edition, 2009, 31(9).

第一性原理计算分析冲击压缩下Mgo电导率突降起因

杨改蓉,房勇,何林,纪红萱,何旭

成都纺织高等专科学校,基础部,成都,611731,四川师范大学,物理与电子工程学院,成都,610066

Analysis of the Causes for Abrupt Drop of Electronic Conductivity of MgO under High Pressure Using First Principle Calculation

摘要: 为了解释冲击实验在压力90 GPa附近观测到MgO电阻率突降的现象,采用第一性原理平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似(GGA),首先计算了MgO理想晶体在105 GPa压力范围内的电子能带结构,得出理想晶体MgO能隙随压力的变化关系.结果表明压力增加引起能隙的降低,不能解释实验上观测到的现象.其次还计算了在90 GPa压力下氧空位对MgO能带结构的影响,结果表明空位点缺陷可能是引起MgO电阻率突降的一个物理机制.
- 氧化镁,高压,电阻率,点缺陷

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第一性原理计算分析冲击压缩下Mgo电导率突降起因

杨改蓉,房勇,何林,纪红萱,何旭

成都纺织高等专科学校,基础部,成都,611731,四川师范大学,物理与电子工程学院,成都,610066

关键词:

氧化镁,高压,电阻率,点缺陷

摘要: 为了解释冲击实验在压力90 GPa附近观测到MgO电阻率突降的现象,采用第一性原理平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似(GGA),首先计算了MgO理想晶体在105 GPa压力范围内的电子能带结构,得出理想晶体MgO能隙随压力的变化关系.结果表明压力增加引起能隙的降低,不能解释实验上观测到的现象.其次还计算了在90 GPa压力下氧空位对MgO能带结构的影响,结果表明空位点缺陷可能是引起MgO电阻率突降的一个物理机制.