吸附对外延石墨烯态密度和能隙的影响简

高一文;周虹君;

doi:10.13718/j.cnki.xsxb.2017.03.005

西南师范大学学报(自然科学版)

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
	姓名不能为空！
邮箱
	邮箱不能为空！非法的邮箱地址。
手机号码
	电话不能为空！请输入有效手机号!
标题
	标题不能为空！
留言内容
	内容不能为空！
验证码
	验证码不能为空！验证码错误！

吸附对外延石墨烯态密度和能隙的影响简

高一文;周虹君;. 吸附对外延石墨烯态密度和能隙的影响简[J]. 西南师范大学学报(自然科学版), 2017, 42(3). doi: 10.13718/j.cnki.xsxb.2017.03.005

引用本文:

高一文;周虹君;. 吸附对外延石墨烯态密度和能隙的影响简[J]. 西南师范大学学报(自然科学版), 2017, 42(3). doi: 10.13718/j.cnki.xsxb.2017.03.005

Citation:

吸附对外延石墨烯态密度和能隙的影响简

高一文;周虹君;

重庆文理学院教学部; 重庆文理学院电子电气工程学院;

摘要: 利用抛物型电子能谱模型,求出了半导体基底的态密度和半导体基底上形成的外延石墨烯的态密度,并与理想单层石墨烯的态密度相比较,分析外延石墨烯态密度特点和能隙产生的条件.以Si基底上形成的外延石墨烯为例,论述了外延石墨烯态密度按能量分布的特点和吸附对外延石墨烯态密度和能隙的影响.结果表明:(1)外延石墨烯的局域态密度曲线与理想单层石墨烯和基底的态密度曲线不同,它不具有对零能量的左右对称性;(2)吸附不仅使理想单层石墨烯和半导体基底的态密度曲线对零能量的左右对称性受到破坏,而且改变了石墨烯的能隙宽度;(3)外延石墨烯的能隙宽度随着半导体基底与石墨烯相互作用能的增大而增大,但变化较小.
- 外延石墨烯 /
- 半导体基底 /
- 态密度 /
- 能隙 /
- 吸附

计量

文章访问数: 761
HTML全文浏览数: 315
PDF下载数: 76
施引文献: 0

吸附对外延石墨烯态密度和能隙的影响简

高一文;周虹君;

重庆文理学院教学部; 重庆文理学院电子电气工程学院;

关键词:

摘要: 利用抛物型电子能谱模型,求出了半导体基底的态密度和半导体基底上形成的外延石墨烯的态密度,并与理想单层石墨烯的态密度相比较,分析外延石墨烯态密度特点和能隙产生的条件.以Si基底上形成的外延石墨烯为例,论述了外延石墨烯态密度按能量分布的特点和吸附对外延石墨烯态密度和能隙的影响.结果表明:(1)外延石墨烯的局域态密度曲线与理想单层石墨烯和基底的态密度曲线不同,它不具有对零能量的左右对称性;(2)吸附不仅使理想单层石墨烯和半导体基底的态密度曲线对零能量的左右对称性受到破坏,而且改变了石墨烯的能隙宽度;(3)外延石墨烯的能隙宽度随着半导体基底与石墨烯相互作用能的增大而增大,但变化较小.