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羰基钼化学气相沉积成膜机制及相关因素研究

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羰基钼化学气相沉积成膜机制及相关因素研究[J]. 西南师范大学学报(自然科学版), 2000, 25(1).
引用本文: 羰基钼化学气相沉积成膜机制及相关因素研究[J]. 西南师范大学学报(自然科学版), 2000, 25(1).
Study on mechanism of CVD molybdenum films from Molybdenum Hexacarbonyl[J]. Journal of Southwest China Normal University(Natural Science Edition), 2000, 25(1).
Citation: Study on mechanism of CVD molybdenum films from Molybdenum Hexacarbonyl[J]. Journal of Southwest China Normal University(Natural Science Edition), 2000, 25(1).

羰基钼化学气相沉积成膜机制及相关因素研究

Study on mechanism of CVD molybdenum films from Molybdenum Hexacarbonyl

  • 摘要: 利用金属有机气相沉积(MOCVD)方法,在经过预沉积和表面研磨处理的Al2O3陶瓷基片上制备多晶钼膜.通过该薄膜的表面形态及其结构的观察分析,讨论了该薄膜的形成机制.结果表明,基片的表面形态是影响薄膜生长成核机理的重要因素,基底表面的状态设计是提高成核密度,获取优质薄膜的有效方法.
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羰基钼化学气相沉积成膜机制及相关因素研究

摘要: 利用金属有机气相沉积(MOCVD)方法,在经过预沉积和表面研磨处理的Al2O3陶瓷基片上制备多晶钼膜.通过该薄膜的表面形态及其结构的观察分析,讨论了该薄膜的形成机制.结果表明,基片的表面形态是影响薄膜生长成核机理的重要因素,基底表面的状态设计是提高成核密度,获取优质薄膜的有效方法.

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