V掺杂AlN的电子结构和铁磁性质研究

刘继荣,张俊峰

西南师范大学学报(自然科学版)

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V掺杂AlN的电子结构和铁磁性质研究

刘继荣,张俊峰. V掺杂AlN的电子结构和铁磁性质研究[J]. 西南师范大学学报(自然科学版), 2010, 35(2).

引用本文:

刘继荣,张俊峰. V掺杂AlN的电子结构和铁磁性质研究[J]. 西南师范大学学报(自然科学版), 2010, 35(2).

Electronic Structure and Ferromagnetic Properties of V-Doped AlN[J]. Journal of Southwest China Normal University(Natural Science Edition), 2010, 35(2).

Citation:

Electronic Structure and Ferromagnetic Properties of V-Doped AlN[J]. Journal of Southwest China Normal University(Natural Science Edition), 2010, 35(2).

V掺杂AlN的电子结构和铁磁性质研究

刘继荣,张俊峰

贵州师范大学,机械与电气工程学院,贵阳,550001,贵州师范大学,教育科学学院,贵阳,550001

Electronic Structure and Ferromagnetic Properties of V-Doped AlN

摘要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,对V掺杂AlN的电子结构和铁磁性质进行了研究.结果表明,V掺杂后,由于V 3d与N 2p轨道杂化在半导体能隙中产生自旋极化杂质带,材料表现出半金属铁磁性,其磁矩主要来自以V原子为中心的VN_4四面体.另外,通过对V掺杂AlN的铁磁稳定性的研究发现,V原子之间为铁磁耦合时体系处于稳定的基态,并且有围绕N原子形成团簇的趋势,随着V原子间距离的增加,体系FM和AFM态的能量将趋于简并.
- V掺杂AlN,密度泛函理论,电子结构,铁磁性
- V-doped A1N，denstiy functional theory，electronic structure，ferromagnetism .

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V掺杂AlN的电子结构和铁磁性质研究

刘继荣,张俊峰

贵州师范大学,机械与电气工程学院,贵阳,550001,贵州师范大学,教育科学学院,贵阳,550001

关键词:

V掺杂AlN,密度泛函理论,电子结构,铁磁性

摘要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,对V掺杂AlN的电子结构和铁磁性质进行了研究.结果表明,V掺杂后,由于V 3d与N 2p轨道杂化在半导体能隙中产生自旋极化杂质带,材料表现出半金属铁磁性,其磁矩主要来自以V原子为中心的VN_4四面体.另外,通过对V掺杂AlN的铁磁稳定性的研究发现,V原子之间为铁磁耦合时体系处于稳定的基态,并且有围绕N原子形成团簇的趋势,随着V原子间距离的增加,体系FM和AFM态的能量将趋于简并.